1SV304TPH3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte	1SV304TPH3F
Stato parte	Active
Capacità @ Vr, F	6.6pF @ 4V, 1MHz
Rapporto di capacità	3
Condizione del rapporto di capacità	C1/C4
Voltage - Peak Reverse (Max)	10V
Tipo diodo	Single
Q @ Vr, F	-
temperatura di esercizio	125°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SC-76, SOD-323
Pacchetto dispositivo fornitore	USC
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
1SV302	KEXIN	Silicon Epitaxial Planar Diode	Dettagli
1SV304	KEXIN	Silicon Epitaxial Planar Diode	Dettagli
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1SV304TPH3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE VARACTOR 10V USC	Dettagli
1SV305	TOSHIBA	1SV305 TOSHIBA SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
1SV305,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE VARACTOR 10V ESC	Dettagli
1SV306	TOSHIBA	1SV306 TOSHIBA SOT343 New Original Stocks	Dettagli
1SV307	KEXIN	VHF TUNER BAND SWITCH APPLICATIONS	Dettagli
1SV307(TPH3,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	SWITCHING DIODE 30V 2 USC	Dettagli
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