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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › 1SS307E,L3F
1SS307E,L3F

1SS307E,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
1SS307E,L3F
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
DIODE SW GP 80V 100MA ESC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
1SS307E,L3F Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
1SS307E,L3F.pdf
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
24070 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.5/pcs
Il nostro prezzo
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1SS307E,L3F Descrizione dettagliata

Numero di parte 1SS307E,L3F
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Corrente - Rettificato medio (Io) 100mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 100mA
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 10nA @ 80V
Capacità @ Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-79, SOD-523
Pacchetto dispositivo fornitore SC-79
Temperatura operativa - Giunzione 150°C (Max)
Peso -
Paese d'origine -

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