| Numero di parte | CSD87355Q5DT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 45A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.9V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1860pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2.8W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerLDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-LSON (5x6) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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CSD83325L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR | Dettagli |
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CSD83325LT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 12V 52A 6PICOSTAR | Dettagli |
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CSD85301Q2 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON | Dettagli |
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CSD85301Q2T | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON | Dettagli |
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CSD85302L | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 5A | Dettagli |
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CSD85302LT | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH | Dettagli |
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CSD85312Q3E | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON | Dettagli |
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CSD86311W1723 | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA | Dettagli |
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CSD86330Q3D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON | Dettagli |
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CSD86336Q3D | Texas Instruments | 25V POWERBLOCK N CH MOSFET | Dettagli |
