| Numero di parte | CSD25303W1015 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Pacchetto / caso | 6-UFBGA, DSBGA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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CSD25201W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | Dettagli |
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CSD25202W15 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA | Dettagli |
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CSD25213W10 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA | Dettagli |
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CSD25303W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | Dettagli |
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CSD25304W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | Dettagli |
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CSD25304W1015T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | Dettagli |
