BDS2A1001M0J - TE Connectivity Passive Product

Numero di parte	BDS2A1001M0J
Stato parte	Active
Resistenza (ohm)	1M
Tolleranza	±5%
Potenza (Watt)	100W
Composizione	Thick Film
Coefficiente di temperatura	±150ppm/°C
temperatura di esercizio	-55°C ~ 125°C
Caratteristiche	RF, High Frequency
Rivestimento, Tipo di alloggiamento	Epoxy Coated
Caratteristica di montaggio	Flanges
Dimensione / Dimensione	1.496" L x 1.004" W (38.00mm x 25.50mm)
Altezza - Seduto (max)	0.827" (21.00mm)
Stile di piombo	M4 Threaded
Pacchetto / caso	SOT-227-2
Tasso di fallimento	-
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BDS20	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Dettagli
BDS20SMD	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Dettagli
BDS21	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Dettagli
BDS210	Eaton	SHAFT 8.26" FOR DISCONCT SWITCH	Dettagli
BDS21SMD	SEME-LAB	SILICON PNP EPITAXIAL BASE IN TO220 METAL AND SMD1 CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGES	Dettagli
BDS220	Eaton	SHAFT 8.66" FOR DISCONCT SWITCH	Dettagli
BDS240	Eaton	EXTENDED SHAFT .31X.31"	Dettagli
BDS250	Eaton	SHAFT 9.84" FOR DISCONCT SWITCH	Dettagli
BDS265	Eaton	SHAFT 10.43" FOR DISCONCT SWITCH	Dettagli
BDS280	Eaton	SHAFT 11" FOR DISCONNECT SWITCH	Dettagli