| Numero di parte | N06DB221K |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| genere | - |
| Materiale: core | - |
| Induttanza | 220µH |
| Tolleranza | ±10% |
| Valutazione attuale | 400mA |
| Corrente - Saturazione | - |
| Schermatura | Unshielded |
| Resistenza DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
| Q @ Freq | - |
| Frequenza - Auto Risonanza | 5.2MHz |
| Giudizi | - |
| temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
| Frequenza - Test | 1kHz |
| Caratteristiche | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | Nonstandard |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Dimensione / Dimensione | 0.295" L x 0.287" W (7.50mm x 7.30mm) |
| Altezza - Seduto (max) | 0.126" (3.20mm) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
N06 080 0003 1 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Dettagli |
|
N06 080 0003 2 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Dettagli |
|
N06 080 0003 3 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Dettagli |
|
N06 080 0003 4 | Amphenol Sine Systems Corp | CELLULAR RUBBER GASKET | Dettagli |
 |
N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | Dettagli |
|
N0602N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | Dettagli |
|
N0603N-S23-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 100A TO-262 | Dettagli |
|
N0604N-S19-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 82A TO-220 | Dettagli |
 |
N06A | NATIONAL | N06A NATIONAL SOT-22.. New Original Stocks | Dettagli |
|
N06DB100K | Taiyo Yuden | FIXED IND 10UH 1.7A 79 MOHM SMD | Dettagli |
