| Numero di parte | TSM80N08CZ C0G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 40A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91.5nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3905pF @ 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 113.6W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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TSM802 | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | Dettagli |
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TSM802CQRK | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | Dettagli |
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TSM802CQRKG | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | Dettagli |
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TSM802CQRV | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | Dettagli |
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TSM802CQRVG | TSC | 20V N-Channel MOSFET w/ESD Protected | Dettagli |
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TSM80N08CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220 | Dettagli |
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TSM80N1R2CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 | Dettagli |
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TSM80N1R2CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220 | Dettagli |
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TSM80N1R2CL C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S | Dettagli |
.jpg "TSM80N1R2CP ROG") |
TSM80N1R2CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252 | Dettagli |
