TSM680P06DPQ56 RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte: TSM680P06DPQ56 RLG
fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione: MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Array
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Codice data: New
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Numero di parte	TSM680P06DPQ56 RLG
Stato parte	Active
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 30V
Potenza - Max	3.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDFN (5x6)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TSM680P06CH X0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO251	Dettagli
TSM680P06CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252	Dettagli
TSM680P06DPQ56 RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN	Dettagli