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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › TSM60NB900CH C5G
TSM60NB900CH C5G

TSM60NB900CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte
TSM60NB900CH C5G
fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
TSM60NB900CH C5G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
151055 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.09/pcs
Il nostro prezzo
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TSM60NB900CH C5G Descrizione dettagliata

Numero di parte TSM60NB900CH C5G
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 36.8W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
Paese d'origine -

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