TSM60N900CH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	TSM60N900CH C5G
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	50W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TSM600-250-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 0.250A HOLD SMD	Dettagli
TSM600-250-RA-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 0.250A HOLD SMD	Dettagli
TSM600-250F-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 250V 250MA HOLD SMD	Dettagli
TSM600-250F-RA-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 250V 250MA HOLD SMD	Dettagli
TSM600-400F-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH PTC RESET .400A	Dettagli
TSM600N25ECH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251	Dettagli
TSM600P03CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP	Dettagli
TSM6025AEUR+	Silicon Labs	IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3	Dettagli
TSM6025AEUR+T	Silicon Labs	IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3	Dettagli
TSM6025BEUR+	Silicon Labs	IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3	Dettagli