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| Numero di parte | TSM4N60ECP ROG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 86.2W (Tc) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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TSM4N60 | TSC | 600V N-Channel Power MOSFET | Dettagli |
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TSM4N60CHC5 | TSC | 600V N-Channel Power MOSFET | Dettagli |
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TSM4N60CIC0 | TSC | 600V N-Channel Power MOSFET | Dettagli |
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TSM4N60CPRO | TSC | 600V N-Channel Power MOSFET | Dettagli |
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TSM4N60CZC0 | TSC | 600V N-Channel Power MOSFET | Dettagli |
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TSM4N60ECH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 | Dettagli |
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TSM4N60ECP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252 | Dettagli |
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TSM4N70CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251 | Dettagli |
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TSM4N70CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 700V 3.5A ITO220 | Dettagli |
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TSM4N70CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252 | Dettagli |
