TSM301K12CQ RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	TSM301K12CQ RFG
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	94 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	500mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5.2pF @ 6V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	6.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TDFN (2x2)
Pacchetto / caso	6-VDFN Exposed Pad
Peso	-
Paese d'origine	-

Immagine	Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
	TSM300NB06CR RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH	Dettagli
	TSM301K12CQ RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-TDFN	Dettagli