TSM2314CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	TSM2314CX RFG
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 4.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	900pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.25W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TSM2301	TSC	20V P-Channel MOSFET	Dettagli
TSM2301ACX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23	Dettagli
TSM2301ACXRF	TSM	TSM2301ACXRF TSM SOT23-.. New Original Stocks	Dettagli
TSM2301B	TSC	20V P-Channel MOSFET	Dettagli
TSM2301BCX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23	Dettagli
TSM2301BCXRF	TSM	TSM2301BCXRF TSM SOT23-.. New Original Stocks	Dettagli
TSM2301CX	ORIGINAL	TSM2301CX ORIGINAL SOT23 New Original Stocks	Dettagli
TSM2301CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23	Dettagli
TSM2301CXRF	ORIGINAL	TSM2301CXRF ORIGINAL SOT23 New Original Stocks	Dettagli
TSM2301_07	TSC	20V P-Channel MOSFET	Dettagli