TSM100N06CZ C0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	TSM100N06CZ C0G
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	92nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4382pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	167W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TSM10-9.5-520-TR	E-Switch	SWITCH TACTILE	Dettagli
TSM1001DLM	ST	TSM1001DLM ST DIP16 New Original Stocks	Dettagli
TSM1001DLMD	ST	TSM1001DLMD ST SOP16 New Original Stocks	Dettagli
TSM1002DS	ST	TSM1002DS ST SOP16 New Original Stocks	Dettagli
TSM100IDT	STMicroelectronics	IC AMPLIFIER SINGLE OP 8 SOIC	Dettagli
TSM100N06CZ C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 60V 100A TO220	Dettagli
TSM1011AID	STMicroelectronics	IC CTRLR CHRGR/ADAPT 8-SOIC	Dettagli
TSM1011AIDT	STMicroelectronics	IC CONTROLLER CC/CV SPMS 8SOIC	Dettagli
TSM1011AIST	STMicroelectronics	IC CTRLR CC/CV SMPS MINI 8-MSOP	Dettagli
TSM1011ID	STMicroelectronics	IC CTRLR CHRGR/ADAPT 8-SOIC	Dettagli