| Numero di parte | S8JC M6G |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 8A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 985mV @ 8A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | 48pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
S8J | MCC | 8 Amp Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts | Dettagli |
|
S8JC M6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Dettagli |
|
S8JC R7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Dettagli |
|
S8JC V6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Dettagli |
|
S8JC V7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Dettagli |
|
S8JCHM6G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Dettagli |
|
S8JCHR7G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 8A DO214AB | Dettagli |
