S3M V6G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	S3M V6G
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	-
Corrente - Rettificato medio (Io)	3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	-
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F	60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214AB (SMC)
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
S3M	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC	Dettagli
S3M M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 3A DO214AB	Dettagli
S3M R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Dettagli
S3M V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 3A DO214AB	Dettagli
S3M V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Dettagli
S3M-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC	Dettagli
S3M-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC	Dettagli
S3M-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Dettagli
S3M-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Dettagli
S3M-M3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 3A 1000V DO-214AB	Dettagli