S3B V6G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	S3B V6G
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente - Rettificato medio (Io)	3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	-
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 100V
Capacità @ Vr, F	60pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AB, SMC
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214AB (SMC)
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 150°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
S3B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Dettagli
S3B M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Dettagli
S3B R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Dettagli
S3B V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Dettagli
S3B V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Dettagli
S3B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Dettagli
S3B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 3A SMC	Dettagli
S3B-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Dettagli
S3B-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB	Dettagli
S3B-EH	JST Sales America Inc.	CONN HEADER EH SIDE 3POS 2.5MM	Dettagli