S1M-26R2G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	S1M-26R2G
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V
Corrente - Rettificato medio (Io)	1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	1µA @ 1000V
Capacità @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214AC (SMA)
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
S1M	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA	Dettagli
S1M M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1000V 1A DO214AC	Dettagli
S1M R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC	Dettagli
S1M-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA	Dettagli
S1M-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA	Dettagli
S1M-26R2	Taiwan Semiconductor Corporation	GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER	Dettagli
S1M-26R2G	Taiwan Semiconductor Corporation	GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER	Dettagli
S1M-26R3	Taiwan Semiconductor Corporation	GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER	Dettagli
S1M-26R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	GLASS PASSIVATED SMD RECTIFIER	Dettagli
S1M-E3/13T	VISHAY	S1M-E3/13T VISHAY SMA New Original Stocks	Dettagli