S1J M2G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	S1J M2G
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Corrente - Rettificato medio (Io)	1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	1µA @ 600V
Capacità @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214AC (SMA)
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
S1J	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 1A SMA	Dettagli
S1J M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Dettagli
S1J R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Dettagli
S1J-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 600V 1A SMA	Dettagli
S1J-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 600V 1A SMA	Dettagli
S1J-B/SS	ORIGINAL	S1J-B/SS ORIGINAL DO214A.. New Original Stocks	Dettagli
S1J-E3/11T	VISHAY	S1J-E3/11T VISHAY DO214A New Original Stocks	Dettagli
S1J-E3/51T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Dettagli
S1J-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Dettagli
S1J-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC	Dettagli