S1B R3G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	S1B R3G
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Corrente - Rettificato medio (Io)	1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	1.5µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	1µA @ 100V
Capacità @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-214AC, SMA
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-214AC (SMA)
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
S1B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Dettagli
S1B M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Dettagli
S1B R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Dettagli
S1B-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Dettagli
S1B-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 100V 1A SMA	Dettagli
S1B-13-G	DIODES	S1B-13-G DIODES SMA New Original Stocks	Dettagli
S1B-E3	VISHAY	S1B-E3 VISHAY DO214A.. New Original Stocks	Dettagli
S1B-E3/51T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Dettagli
S1B-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Dettagli
S1B-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC	Dettagli