• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › 1N4448 A0G
1N4448 A0G

1N4448 A0G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte
1N4448 A0G
fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
1N4448 A0G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
12833235 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.01283/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per 1N4448 A0G

1N4448 A0G Descrizione dettagliata

Numero di parte 1N4448 A0G
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente - Rettificato medio (Io) 150mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 720mV @ 5mA
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 75V
Capacità @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore DO-35
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 150°C
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER 1N4448 A0G

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
1N4400B 1N4400B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli
1N4402B 1N4402B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli
1N4403B 1N4403B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli
1N4404B 1N4404B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli
1N4405B 1N4405B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli
1N4406B 1N4406B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli
1N4407B 1N4407B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli
1N4408B 1N4408B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli
1N4409B 1N4409B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli
1N4410B 1N4410B EXSHINE ZENER DIODES Dettagli