STW80NE06-10 - STMicroelectronics

Numero di parte	STW80NE06-10
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	189nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
STW80H150C	SMC Diode Solutions	SCHOTTKY RECTIFIER 150V TO-247AD	Dettagli
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