STW10NK80Z Descrizione dettagliata
Numero di parte |
STW10NK80Z |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
72nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
2180pF @ 25V |
Vgs (massimo) |
±30V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
160W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
900 mOhm @ 4.5A, 10V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-247-3 |
Pacchetto / caso |
TO-247-3 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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