STU10NM60N - STMicroelectronics

Numero di parte	STU10NM60N
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	540pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 4A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I-Pak
Pacchetto / caso	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
STU1030PL	SAMHOP	STU1030PL SAMHOP TO252 New Original Stocks	Dettagli
STU10N60M2	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V IPAK	Dettagli
STU10NM60N	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 10A IPAK	Dettagli
STU10NM65N	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 9A IPAK	Dettagli
STU10P6F6	STMicroelectronics	MOSFET P-CH 60V 10A IPAK	Dettagli
STU11N65M2	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 7A IPAK	Dettagli
STU11NM60ND	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 10A IPAK	Dettagli
STU1224N	SAMHOP	STU1224N SAMHOP TO252 New Original Stocks	Dettagli
STU1255PL	SAMHOP	STU1255PL SAMHOP TO252 New Original Stocks	Dettagli
STU12L01	S	STU12L01 S TO-252 New Original Stocks	Dettagli