STS7PF30L Descrizione dettagliata
Numero di parte |
STS7PF30L |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
P-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
38nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
2600pF @ 25V |
Vgs (massimo) |
±20V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
2.5W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
21 mOhm @ 3.5A, 10V |
temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
8-SO |
Pacchetto / caso |
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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