| Numero di parte | STS4DPFS30L |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±16V |
| Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 2.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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STS4DNFS30L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC | Dettagli |
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