| Numero di parte | STL105NS3LLH7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 105A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 13.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerFlat™ (5x6) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
STL10 | SAMSUNG | STL10 SAMSUNG BGA New Original Stocks | Dettagli |
|
STL100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 80A PWRFLT5X6 | Dettagli |
 |
STL100N12F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT | Dettagli |
|
STL100N1VH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56 | Dettagli |
 |
STL100N6LF6 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 60V 100A PWRFLAT 5X6 | Dettagli |
 |
STL100N8F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 80V 100A POWERFLAT | Dettagli |
|
STL100NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5 | Dettagli |
|
STL105NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 | Dettagli |
,TO-226_straightlead.jpg "STL106D") |
STL106D | STMicroelectronics | TRANS NPN 230V 1.5A TO-92 | Dettagli |
|
STL10HN65M2 | STMicroelectronics | POWER MOSFET | Dettagli |
