| Numero di parte | STFI8N80K5 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 3A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAKFP (TO-281) |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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STFI10LN80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 8A I2PAKFP | Dettagli |
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STFI10N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP | Dettagli |
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STFI10N65K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP | Dettagli |
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STFI10NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK FP | Dettagli |
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STFI11N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP | Dettagli |
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STFI12N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP | Dettagli |
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STFI130N10F3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP | Dettagli |
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STFI13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP | Dettagli |
