STD80N4F6 - STMicroelectronics

Numero di parte	STD80N4F6
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2150pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 40A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
STD01N	Sanken	TRANS NPN DARL 150V 10A TO-3P-5	Dettagli
STD01P	Sanken	TRANS PNP DARL 150V 10A TO-3P-5	Dettagli
STD03N	Sanken	TRANS NPN DARL 160V 15A TO-3P-5	Dettagli
STD03P	Sanken	TRANS PNP DARL 160V 15A TO-3P-5	Dettagli
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