STB40N60M2 - STMicroelectronics

Numero di parte	STB40N60M2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 100V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 17A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
STB40100CTR	SMC Diode Solutions	DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK	Dettagli
STB4045CTR	SMC Diode Solutions	DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V D2PAK	Dettagli
STB4080CTR	SMC Diode Solutions	DIODE ARRAY SCHOTTKY 80V D2PAK	Dettagli
STB40N20	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK	Dettagli
STB40N60M2	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK	Dettagli
STB40NE03L	ST	STB40NE03L ST TO-263 New Original Stocks	Dettagli
STB40NF10L	S	STB40NF10L S TO263 New Original Stocks	Dettagli
STB40NF10LT4	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK	Dettagli
STB40NF10T4	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK	Dettagli
STB40NF20	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK	Dettagli