SCT50N120

SCT50N120 - STMicroelectronics

Numero di parte
SCT50N120
fabbricante
STMicroelectronics
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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688 pcs
Prezzo di riferimento
USD 38.64/pcs
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SCT50N120 Descrizione dettagliata

Numero di parte SCT50N120
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 400V
Vgs (massimo) +25V, -10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 318W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69 mOhm @ 40A, 20V
temperatura di esercizio -55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore HiP247™
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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