| Numero di parte | S1612-8TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Zener |
| Canali unidirezionali | 8 |
| Canali bidirezionali | - |
| Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 12V (Max) |
| Voltage - Breakdown (Min) | 13.3V |
| Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 19V |
| Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 1A |
| Potenza - Peak Pulse | 300W |
| Protezione della linea di alimentazione | No |
| applicazioni | Automotive, Ethernet, Telecom |
| Capacità @ frequenza | 185pF @ 1MHz |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SO |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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S16-4148/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4148/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4148E3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4148E3/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4150/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4150/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4150E3/TR13 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 75V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16-4150E3/TR7 | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 50V 400MA 16SOIC | Dettagli |
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S16008LK9 | EXSHINE | SYVCHRONOUS DRAM | Dettagli |
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S16008LK9LK7FB-75A | EXSHINE | SYVCHRONOUS DRAM | Dettagli |
