DMJ2833-000 - Skyworks Solutions Inc.

Numero di parte	DMJ2833-000
Stato parte	Active
Tipo diodo	Schottky - 1 Pair Series Connection
Voltage - Peak Reverse (Max)	-
Corrente - max	100mA
Capacità @ Vr, F	0.1pF @ 0V, 1MHz
Resistenza @ Se, F	-
Dissipazione di potenza (max)	75mW
temperatura di esercizio	-65°C ~ 175°C (TA)
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	504-012
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DMJ2092	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DMJ2093	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DMJ2208	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DMJ2209	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DMJ2210	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DMJ2246	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DMJ2303	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DMJ2304	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
DMJ2832	EXSHINE	Silicon Beam-Lead and Chip Schottky Barrier Mixer Diodes	Dettagli
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