| Numero di parte | SI88342ED-IS |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tecnologia | Capacitive Coupling |
| genere | General Purpose |
| Potere isolato | No |
| Numero di canali | 4 |
| Ingressi - Lato 1 / Lato 2 | 2/2 |
| Tipo di canale | Unidirectional |
| Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
| Immunità transitoria in modalità comune (min) | 40kV/µs |
| Data Rate | 100Mbps |
| Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | 12.6ns, 17.5ns (Typ) |
| Distorsione larghezza impulso (max) | 4.8ns (Typ) |
| Rise / Fall Time (Typ) | 2.5ns, 2.5ns |
| Tensione - Fornitura | 3 V ~ 5.5 V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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SI8800EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | Dettagli |
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SI8802DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 8V MICROFOOT | Dettagli |
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SI8805EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V MICROFOOT | Dettagli |
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SI8806DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V MICROFOOT | Dettagli |
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SI8808DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICROFOOT | Dettagli |
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SI8809EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT | Dettagli |
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SI8810EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT | Dettagli |
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SI8812DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V MICROFOOT | Dettagli |
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SI8816EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT | Dettagli |
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SI8817DB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V MICROFOOT | Dettagli |
