| Numero di parte | 1N5551C.TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 2µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
| Capacità @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
| Temperatura operativa - Giunzione | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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1N5517 | EXSHINE | SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES | Dettagli |
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1N5518B | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Dettagli |
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1N5518B (DO35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 | Dettagli |
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1N5518BUR-1 | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Dettagli |
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1N5519B | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Dettagli |
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1N5519B (DO35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 | Dettagli |
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1N5519BUR-1 | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Dettagli |
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1N5520B | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Dettagli |
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1N5520B (DO35) | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 | Dettagli |
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1N5520BUR-1 | Microsemi Corporation | ZENER DIODE | Dettagli |
