TT8M1TR Descrizione dettagliata
Numero di parte |
TT8M1TR |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
N and P-Channel |
Caratteristica FET |
Logic Level Gate, 1.5V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
2.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
72 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
3.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
260pF @ 10V |
Potenza - Max |
1W |
temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto / caso |
8-SMD, Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore |
8-TSST |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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