SP8K2FU6TB

SP8K2FU6TB - Rohm Semiconductor

Numero di parte
SP8K2FU6TB
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
46139 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.588/pcs
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SP8K2FU6TB Descrizione dettagliata

Numero di parte SP8K2FU6TB
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOP
Peso -
Paese d'origine -

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