RSE002P03TL - Rohm Semiconductor

Numero di parte	RSE002P03TL
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 200mA, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	EMT3
Pacchetto / caso	SC-75, SOT-416
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
RSE002N06	rohm	RSE002N06 rohm SOT423 New Original Stocks	Dettagli
RSE002N06TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3	Dettagli
RSE002P03	ROHM	4V Drive Pch MOSFET	Dettagli
RSE002P03TL	Rohm Semiconductor	MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416	Dettagli