RD3L050SNFRATL - Rohm Semiconductor

Numero di parte	RD3L050SNFRATL
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	109 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 10V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	15W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
RD3L050SNFRATL	Rohm Semiconductor	AUTOMOTIVE NCH 60V 5A POWER MOSF	Dettagli
RD3L050SNTL1	Rohm Semiconductor	NCH 60V 5A POWER MOSFET	Dettagli
RD3L080SNFRATL	Rohm Semiconductor	RD3L080SNFRA IS A POWER MOSFET W	Dettagli
RD3L080SNTL1	Rohm Semiconductor	NCH 60V 8A POWER MOSFET	Dettagli