R6046ANZ1C9

R6046ANZ1C9 - Rohm Semiconductor

Numero di parte
R6046ANZ1C9
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
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R6046ANZ1C9 Descrizione dettagliata

Numero di parte R6046ANZ1C9
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 46A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 23A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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