QS8J1TR

QS8J1TR - Rohm Semiconductor

Numero di parte
QS8J1TR
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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7500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.4497/pcs
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QS8J1TR Descrizione dettagliata

Numero di parte QS8J1TR
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2450pF @ 6V
Potenza - Max 1.5W
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore TSMT8
Peso -
Paese d'origine -

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