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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › IMH10AT110
IMH10AT110

IMH10AT110 - Rohm Semiconductor

Numero di parte
IMH10AT110
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IMH10AT110 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IMH10AT110.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
37500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.076/pcs
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IMH10AT110 Descrizione dettagliata

Numero di parte IMH10AT110
Stato parte Not For New Designs
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 2.2k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 300mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore SMT6
Peso -
Paese d'origine -

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