IMB3AT110

IMB3AT110 - Rohm Semiconductor

Numero di parte
IMB3AT110
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
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1 Day
Codice data
New
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241546 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1106/pcs
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IMB3AT110 Descrizione dettagliata

Numero di parte IMB3AT110
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 4.7k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 5mA
Corrente - Limite del collettore (max) -
Frequenza - Transizione 250MHz
Potenza - Max 300mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitore SMT6
Peso -
Paese d'origine -

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