EMH9FHAT2R Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
EMH9FHAT2R |
| Stato parte |
Active |
| Transistor Type |
2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) |
100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) |
- |
| Resistor - Base (R1) |
10 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) |
47 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
68 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) |
- |
| Frequenza - Transizione |
250MHz |
| Potenza - Max |
150mW |
| Tipo di montaggio |
Surface Mount |
| Pacchetto / caso |
SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
EMT6 |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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