| Numero di parte | EMD2FHAT2R |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | - |
| Frequenza - Transizione | 250MHz |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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