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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › DTD713ZMT2L
DTD713ZMT2L

DTD713ZMT2L - Rohm Semiconductor

Numero di parte
DTD713ZMT2L
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DTD713ZMT2L Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
DTD713ZMT2L.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
295969 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0918/pcs
Il nostro prezzo
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DTD713ZMT2L Descrizione dettagliata

Numero di parte DTD713ZMT2L
Stato parte Not For New Designs
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 260MHz
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore VMT3
Peso -
Paese d'origine -

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