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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati › DTB113ZSTP
DTB113ZSTP

DTB113ZSTP - Rohm Semiconductor

Numero di parte
DTB113ZSTP
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
DTB113ZSTP Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
DTB113ZSTP.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3977 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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DTB113ZSTP Descrizione dettagliata

Numero di parte DTB113ZSTP
Stato parte Obsolete
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Corrente - Collector (Ic) (Max) 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 1k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 10k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 200MHz
Potenza - Max 300mW
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso SC-72 Formed Leads
Pacchetto dispositivo fornitore SPT
Peso -
Paese d'origine -

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