UPA2630T1R-E2-AX Descrizione dettagliata
Numero di parte |
UPA2630T1R-E2-AX |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
P-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
11.3nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
1260pF @ 10V |
Vgs (massimo) |
±8V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
2.5W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
59 mOhm @ 3.5A, 1.8V |
temperatura di esercizio |
150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore |
6-HUSON (2x2) |
Pacchetto / caso |
6-WFDFN Exposed Pad |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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