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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › RJP60F4DPM-00#T1
RJP60F4DPM-00#T1

RJP60F4DPM-00#T1 - Renesas Electronics America

Numero di parte
RJP60F4DPM-00#T1
fabbricante
Renesas Electronics America
Breve descrizione
IGBT 600V 60A 41.2W TO-3PFM
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
RJP60F4DPM-00#T1 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
225 pcs
Prezzo di riferimento
USD 6.06/pcs
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RJP60F4DPM-00#T1 Descrizione dettagliata

Numero di parte RJP60F4DPM-00#T1
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 60A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 30A
Potenza - Max 41.2W
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello -
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 45ns/70ns
Condizione di test 400V, 30A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-3PFM, SC-93-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3PFM
Peso -
Paese d'origine -

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