| Numero di parte | RJK1052DPB-00#J5 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4160pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK |
| Pacchetto / caso | SC-100, SOT-669 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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RJK1051DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK | Dettagli |
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RJK1052DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK | Dettagli |
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RJK1053DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | Dettagli |
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RJK1054DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LFPAK | Dettagli |
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RJK1055DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 23A LFPAK | Dettagli |
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RJK1056DPB-00#J5 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK | Dettagli |
